On the doping mechanism of boron-doped hydrogenated amorphous silicon deposited by rf-co-sputtering
- De Lima Jr., M.M.
- Marques, F.C.
ISSN: 0022-3093
Ano de publicación: 2002
Volume: 299-302
Número: PART 1
Páxinas: 605-609
Tipo: Achega congreso
ISSN: 0022-3093
Ano de publicación: 2002
Volume: 299-302
Número: PART 1
Páxinas: 605-609
Tipo: Achega congreso