On the doping mechanism of boron-doped hydrogenated amorphous silicon deposited by rf-co-sputtering
- De Lima Jr., M.M.
- Marques, F.C.
ISSN: 0022-3093
Datum der Publikation: 2002
Ausgabe: 299-302
Nummer: PART 1
Seiten: 605-609
Art: Konferenz-Beitrag