On the doping mechanism of boron-doped hydrogenated amorphous silicon deposited by rf-co-sputtering
- De Lima Jr., M.M.
- Marques, F.C.
ISSN: 0022-3093
Any de publicació: 2002
Volum: 299-302
Número: PART 1
Pàgines: 605-609
Tipus: Aportació congrés
ISSN: 0022-3093
Any de publicació: 2002
Volum: 299-302
Número: PART 1
Pàgines: 605-609
Tipus: Aportació congrés