Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

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Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Año de publicación: 2005

Volumen: 2

Número: 11

Páginas: 3851-3855

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200562014 GOOGLE SCHOLAR

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