Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

  1. Garro, N.
  2. Cros, A.
  3. Budagosky, J.A.
  4. Cantarero, A.
  5. Vinattieri, A.
  6. Gurioli, M.
  7. Founta, S.
  8. Mariette, H.
  9. Daudin, B.
Actes de conférence:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Année de publication: 2005

Volumen: 2

Número: 11

Pages: 3851-3855

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1002/PSSC.200562014 GOOGLE SCHOLAR

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