Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

  1. Garro, N.
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  3. Budagosky, J.A.
  4. Cantarero, A.
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  6. Gurioli, M.
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  8. Mariette, H.
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Konferenzberichte:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 2

Nummer: 11

Seiten: 3851-3855

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/PSSC.200562014 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

Datenquelle: Scopus