Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

  1. Garro, N.
  2. Cros, A.
  3. Budagosky, J.A.
  4. Cantarero, A.
  5. Vinattieri, A.
  6. Gurioli, M.
  7. Founta, S.
  8. Mariette, H.
  9. Daudin, B.
Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Ano de publicación: 2005

Volume: 2

Número: 11

Páxinas: 3851-3855

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200562014 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable