Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

  1. Garro, N.
  2. Cros, A.
  3. Budagosky, J.A.
  4. Cantarero, A.
  5. Vinattieri, A.
  6. Gurioli, M.
  7. Founta, S.
  8. Mariette, H.
  9. Daudin, B.
Actes:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Any de publicació: 2005

Volum: 2

Número: 11

Pàgines: 3851-3855

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1002/PSSC.200562014 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus