Failure analysis of normally-off GaN HEMTs under avalanche conditions

  1. Martínez, P.J.
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Revue:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Année de publication: 2020

Volumen: 35

Número: 3

Type: Article

DOI: 10.1088/1361-6641/AB6BAD GOOGLE SCHOLAR

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