Failure analysis of normally-off GaN HEMTs under avalanche conditions

  1. Martínez, P.J.
  2. Letz, S.
  3. Maset, E.
  4. Zhao, D.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 35

Nummer: 3

Art: Artikel

DOI: 10.1088/1361-6641/AB6BAD GOOGLE SCHOLAR

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