Failure analysis of normally-off GaN HEMTs under avalanche conditions

  1. Martínez, P.J.
  2. Letz, S.
  3. Maset, E.
  4. Zhao, D.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Any de publicació: 2020

Volum: 35

Número: 3

Tipus: Article

DOI: 10.1088/1361-6641/AB6BAD GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus