Failure analysis of normally-off GaN HEMTs under avalanche conditions

  1. Martínez, P.J.
  2. Letz, S.
  3. Maset, E.
  4. Zhao, D.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Argitalpen urtea: 2020

Alea: 35

Zenbakia: 3

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/1361-6641/AB6BAD GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus