Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

  1. Jordán Martínez, José
Dirixida por:
  1. Enrique J. Dede Director
  2. Vicente Esteve Gómez Director

Universidade de defensa: Universitat de València

Fecha de defensa: 20 de febreiro de 2004

Tribunal:
  1. Javier Sebastián Zúñiga Presidente/a
  2. José Miguel Espi Huerta Secretario
  3. José Millán Gómez Vogal
  4. Leo Lorenz Vogal
  5. Josep Balcells Sendra Vogal
Departamento:
  1. ENG. ELECTRÒN.

Tipo: Tese

Teseo: 96537 DIALNET lock_openTDX editor

Resumo

Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet. Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito. Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas. Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.