Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

  1. Jordán Martínez, José
Dirigida per:
  1. Enrique J. Dede Director
  2. Vicente Esteve Gómez Director

Universitat de defensa: Universitat de València

Fecha de defensa: 20 de de febrer de 2004

Tribunal:
  1. Javier Sebastián Zúñiga President/a
  2. José Miguel Espi Huerta Secretari
  3. José Millán Gómez Vocal
  4. Leo Lorenz Vocal
  5. Josep Balcells Sendra Vocal
Departament:
  1. Enginyeria Electrònica

Tipus: Tesi

Teseo: 96537 DIALNET lock_openTDX editor

Resum

Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet. Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito. Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas. Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.