Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

  1. Jordán Martínez, José
unter der Leitung von:
  1. Enrique J. Dede Doktorvater
  2. Vicente Esteve Gómez Doktorvater

Universität der Verteidigung: Universitat de València

Fecha de defensa: 20 von Februar von 2004

Gericht:
  1. Javier Sebastián Zúñiga Präsident/in
  2. José Miguel Espi Huerta Sekretär
  3. José Millán Gómez Vocal
  4. Leo Lorenz Vocal
  5. Josep Balcells Sendra Vocal
Fachbereiche:
  1. Enginyeria Electrònica

Art: Dissertation

Teseo: 96537 DIALNET lock_openTDX editor

Zusammenfassung

Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet. Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito. Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas. Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.