Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

  1. Jordán Martínez, José
Zuzendaria:
  1. Enrique J. Dede Zuzendaria
  2. Vicente Esteve Gómez Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universitat de València

Fecha de defensa: 2004(e)ko otsaila-(a)k 20

Epaimahaia:
  1. Javier Sebastián Zúñiga Presidentea
  2. José Miguel Espi Huerta Idazkaria
  3. José Millán Gómez Kidea
  4. Leo Lorenz Kidea
  5. Josep Balcells Sendra Kidea
Saila:
  1. ENG. ELECTRÒN.

Mota: Tesia

Teseo: 96537 DIALNET lock_openTDX editor

Laburpena

Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet. Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito. Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas. Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.