Estudio del comportamiento de generadores serie MOSFET de alta potencia y frecuencia en condiciones de cortocircuito.

  1. Jordán Martínez, José
Dirigée par:
  1. Enrique J. Dede Directeur
  2. Vicente Esteve Gómez Directeur

Université de défendre: Universitat de València

Fecha de defensa: 20 février 2004

Jury:
  1. Javier Sebastián Zúñiga President
  2. José Miguel Espi Huerta Secrétaire
  3. José Millán Gómez Rapporteur
  4. Leo Lorenz Rapporteur
  5. Josep Balcells Sendra Rapporteur
Département:
  1. ENG. ELECTRÒN.

Type: Thèses

Teseo: 96537 DIALNET lock_openTDX editor

Résumé

Se realiza dos estudios por separado, por una parte se estudia el generador serie y por otra el diodo intrínseco del mosfet. Del estudio del generador serie se obtienen las diferentes topologías de inversor en condiciones de cortocircuito. Del estudio el mosfet se detremina cual es el más robusto frente a conmutaciones capacitivas. Obteniéndose finalmente la topología y el mosfet más fiable.