Boron doping of hydrogenated amorphous silicon prepared by rf-co-sputtering

  1. De Lima Jr., M.M.
  2. Freire Jr., F.L.
  3. Marques, F.C.
Revista:
Brazilian Journal of Physics

ISSN: 0103-9733

Año de publicación: 2002

Volumen: 32

Número: 2 A

Páginas: 379-382

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1590/S0103-97332002000200037 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus