Boron doping of hydrogenated amorphous silicon prepared by rf-co-sputtering

  1. De Lima Jr., M.M.
  2. Freire Jr., F.L.
  3. Marques, F.C.
Zeitschrift:
Brazilian Journal of Physics

ISSN: 0103-9733

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 32

Nummer: 2 A

Seiten: 379-382

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1590/S0103-97332002000200037 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
Datenquelle: Scopus