Boron doping of hydrogenated amorphous silicon prepared by rf-co-sputtering

  1. De Lima Jr., M.M.
  2. Freire Jr., F.L.
  3. Marques, F.C.
Aldizkaria:
Brazilian Journal of Physics

ISSN: 0103-9733

Argitalpen urtea: 2002

Alea: 32

Zenbakia: 2 A

Orrialdeak: 379-382

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1590/S0103-97332002000200037 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus