Investigation of impurity levels in n-type indium selenide by means of Hall effect and deep level transient spectroscopy

  1. Segura, A.
  2. Wünstel, K.
  3. Chevy, A.
Revista:
Applied Physics A Solids and Surfaces

ISSN: 0721-7250,  1432-0630

Año de publicación: 1983

Volumen: 31

Número: 3

Páginas: 139-145

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/BF00624719 GOOGLE SCHOLAR
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