Role of defect centers in recombination processes in GaN monocrystals

  1. Joshi, N.V.
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  4. Medina, H.
  5. Ambacher, O.
  6. Stutzmann, M.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2002

Volumen: 80

Número: 16

Páginas: 2824-2826

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1471938 GOOGLE SCHOLAR
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