Role of defect centers in recombination processes in GaN monocrystals

  1. Joshi, N.V.
  2. Cros, A.
  3. Cantarero, A.
  4. Medina, H.
  5. Ambacher, O.
  6. Stutzmann, M.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2002

Volum: 80

Número: 16

Pàgines: 2824-2826

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1471938 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus