Analytical Modeling of Threshold Voltage of Stacked Triple-Material-Gate (TMG) Strained-Si (s-Si) on Silicon-Germanium-on-Insulator (SGOI) MOSFETs

  1. Santra, Abirmoya
  2. Kumar, Mirgender
  3. Dubey, Sarvesh
  4. Jit, Satyabrata
  5. Tiwari, Pramod Kumar
Revista:
JOURNAL OF ACTIVE AND PASSIVE ELECTRONIC DEVICES

ISSN: 1555-0281 1555-029X

Año de publicación: 2014

Volumen: 9

Número: 2-3

Páginas: 235-257

Tipo: Artículo