Analytical Modeling of Threshold Voltage of Stacked Triple-Material-Gate (TMG) Strained-Si (s-Si) on Silicon-Germanium-on-Insulator (SGOI) MOSFETs

  1. Santra, Abirmoya
  2. Kumar, Mirgender
  3. Dubey, Sarvesh
  4. Jit, Satyabrata
  5. Tiwari, Pramod Kumar
Zeitschrift:
JOURNAL OF ACTIVE AND PASSIVE ELECTRONIC DEVICES

ISSN: 1555-0281,  1555-029X

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 9

Nummer: 2-3

Seiten: 235-257

Art: Artikel

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Fuente de los datos: WoS