Pressure-induced structural and semiconductor-semiconductor transitions in C o0.5 M g0.5 C r2 O4

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Revista:
Physical Review B

ISSN: 2469-9969 2469-9950

Año de publicación: 2018

Volumen: 97

Número: 17

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVB.97.174102 GOOGLE SCHOLAR