Pressure-induced structural and semiconductor-semiconductor transitions in C o0.5 M g0.5 C r2 O4
- Rahman, S.
- Saqib, H.
- Zhang, J.
- Errandonea, D.
- Menéndez, C.
- Cazorla, C.
- Samanta, S.
- Li, X.
- Lu, J.
- Wang, L.
ISSN: 2469-9969, 2469-9950
Año de publicación: 2018
Volumen: 97
Número: 17
Tipo: Artículo