Reprint of: Optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots grown on non-polar planes: The effect of stacking faults in the reduction of the internal electric field

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Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2016

Volumen: 55

Páginas: 90-94

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2016.09.027 GOOGLE SCHOLAR
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