Near Room-Temperature Memory Devices Based on Hybrid Spin-Crossover@SiO2Nanoparticles Coupled to Single-Layer Graphene Nanoelectrodes

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Zeitschrift:
Advanced Materials

ISSN: 1521-4095 0935-9648

Datum der Publikation: 2016

Ausgabe: 28

Nummer: 33

Seiten: 7228-7233

Art: Artikel

DOI: 10.1002/ADMA.201600890 GOOGLE SCHOLAR