Transport measurements in InSe under high pressure and high temperature: Shallow-to-deep donor transformation of Sn related donor impurities

  1. Errandonea, D.
  2. Segura, A.
  3. Manjón, F.J.
  4. Chevy, A.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 2003

Volum: 18

Número: 4

Pàgines: 241-246

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/18/4/308 GOOGLE SCHOLAR