DISPOSITIVOS MEMRISTIVOS BASADOS EN MATERIALES POLÍMEROS SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL FENÓMENO DE MIGRACIÓN IÓNICA

Inventores/as:
1. SALVADOR JOSE CARDONA SERRA
2. EUGENIO CORONADO MIRALLES
3. YAGHOUTI, Mehdi
4. PRADO SOCORRO, Carlos David
5. GIMÉNEZ SANTAMARINA, Silvia María
6. MARDEGAN, Lorenzo Pietro

ES

Publicación principal:

ES2927156A1 (02-11-2022)

Otras Publicaciones:

ES2927156B2 (13-03-2023)

Solicitudes:

P202130383 (30-04-2021)

Resumen

Dispositivos memristivos basados en materiales polímeros semiconductores mediante el fenómeno de migración iónica.

La presente invención se refiere a un dispositivo memristivo que comprende:

- un primer electrodo sobre el que está dispuesta una capa activa que comprende:

- una sal iónica

- un semiconductor electrónico polimérico que es un derivado de polifenileno vinileno

- un conductor de iones polimérico que es un polímero polirramificado, con monómeros de derivados de amina y monómeros de derivados de anhídrido, y

- un segundo electrodo,

y a su uso en microelectrónica.