The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc2Si2Te6

  1. Pielnhofer, F.
  2. Bette, S.
  3. Eger, R.
  4. Duppel, V.
  5. Nuss, J.
  6. Dolle, C.
  7. Dinnebier, R.E.
  8. Lotsch, B.V.
Revista:
Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie

ISSN: 1521-3749,  0044-2313

Año de publicación: 2022

Volumen: 648

Número: 21

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/ZAAC.202200234 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus