Investigaciones fundamentales y aplicaciones analiticas de la espectometria de ruptura inducida por laser en silicio de grado electronico

Zusammenfassung

En la memoria de la presente Tesis Doctoral se recoge la evaluación de los aspectos metodológicos e instrumentales de la técnica LIBS (laser induced breakdown spectrometry) referida a la espectrometría óptica de emisión de plasmas producidos por láser, para su aplicación a la determinación de impurezas de fósforo en obleas de silicio de grado electrónico. El análisis se realiza en aire a presión atmosférica, para lo cual se investigan los inconvenientes de trabajar en este medio, estudiándose las interferencias observadas en muestras de PMMA. La resolución temporal y espacial de los plasmas se confirman como estretegías válidas y complementarias para realizar análisis en aire sin necesidad de trabajar bajo condiciones de atmósfera controlada. El estudio sistemático de distintas variables, incluyendo la interacción láser-materia y el diagnóstico de plasmas de silicio permitió determinar las condiciones experimentales óptimas para el análisis de este tipo de semiconductores. Los resultados obtenidos muestran la capacidad de la técnica LIBS para el análisis cualitativo y cuantitativo de perfiles de profundidad de fósforo en obleas de silicio. Por otra parte, el método utilizado para la determinación cuantitativa, basado en la integración de la señal en intervalos equivalentes a la profundidad por pulso, se presenta como una herramienta satisfactoria que podría ser aplicada para la cuantificación de perfiles de profundidad de otros elementos.