Estudi espectroscòpic de les transicions electròniques i dels modes de vibració del semiconductor ternari GaInP parcialment ordenat

Resumen

El crecimiento en fase vapor de la aleación GaInP sobre substratos de Gaas (001) da lugar al ordenamiento espontáneo de esta en una estructura Cupt. La investigación de los efectos de reducción de simetría en los estados electrónicos se había centrado anteriormente en los estados próximos al Gap fundamental. Hemos observado efectos similares en la transición E1 y los hemos interpretado a partir de la rotura de la equivalencia de la direcciones (111) debido al ordenamiento. La disminución y desdoblamiento de la transición se han relacionado con el grado de orden presente en la muestra. Realizando medidas de dispersión raman se ha observado la aparición de nuevos modos de vibración no presentes en el material desordenado y con unas reglas de selección bien definidas.