Shallow donor and DX state in Si doped AlN nanowires grown by molecular beam epitaxy

  1. Vermeersch, R.
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  4. Jacopin, G.
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  6. Pernot, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2021

Volumen: 119

Número: 26

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0074454 GOOGLE SCHOLAR
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