Unstable behaviour of normally-off GaN E-HEMT under short-circuit

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2018

Volumen: 33

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AAB078 GOOGLE SCHOLAR

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