X-ray absorption near-edge structure of GaN with high Mn concentration grown on SiC

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Revista:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984,  1361-648X

Año de publicación: 2009

Volumen: 21

Número: 29

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0953-8984/21/29/295801 GOOGLE SCHOLAR
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