Chemical effects of band filling and band-gap renormalization on heavily doped ZnO:MIII (Al, Ga and In): A band anti-crossing approach

  1. Sans, J.A.
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Actas:
AIP Conference Proceedings

ISSN: 0094-243X,  1551-7616

ISBN: 9780735407367

Año de publicación: 2009

Volumen: 1199

Páginas: 105-107

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1063/1.3295318 GOOGLE SCHOLAR
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