Influence of strain in the reduction of the internal electric field in GaN/AIN quantum dots grown on a-plane 6H-SiC

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Revista:
Physica Status Solidi (B) Basic Research

ISSN: 0370-1972,  1521-3951

Año de publicación: 2006

Volumen: 243

Número: 7

Páginas: 1499-1507

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSB.200565103 GOOGLE SCHOLAR
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