Residual strain effects on the two-dimensional electron gas concentration of AIGaN/GaN heterostructures

  1. Martínez-Criado, G.
  2. Cros, A.
  3. Cantarero, A.
  4. Ambacher, O.
  5. Miskys, C.R.
  6. Dimitrov, R.
  7. Stutzmann, M.
  8. Smart, J.
  9. Shealy, J.R.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 90

Nummer: 9

Seiten: 4735-4740

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1408268 GOOGLE SCHOLAR

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