Caracterización óptica de materiales basados en gan

Resumen

En esta memoria se investigan experimentalmente diversos compuestos semiconductores pertenecientes a la FciA de los nitruros del grupo III. De especial interés es la caracterización por espectroscopía de fotonuminiscencia y dispersión Raman. En primer lugar, del estudio de muestras de GAN obtenidas homoepitaxialmente, se estiman importantes parámetros físicos carentes por completo de tensión, secuela típica de la mayor parte de muestras depositadas sobre zafiro y SiC. Los resultados obtenidos, como por ejemplo, el ancho de la banda prohibida y la energía de enlace del excitón, permiten contar con magnitudes de referencia para los posteriores análisis. A continuación, se estudian muestras de GaN acecidas sobre Zafiro y dopadas con Mg en un amplio rango de concentración, defectos morfológicos de sorprendente estructura piramidal cobre la superficie a medida de aumenta la concentración de Magnesio. La formación de tales estructuras quedan convicentemente explicada a partir de un modelo basado en la presencia de defectos de aplamiento (Aaciados por dispersión Raman), unidos a la incidencia de enlaces vacantes debido a un cambio revisible de la polaridad. Finalmente, se estudian meterojunturas de Aiban/Gan a fin de observar la recombinación del gas electrónico bidiemensional (2DE6) ubicado en la intercara. Siriviéndonos de medidas de fotocuminiscencia a bajas temperaturas, y bajo la aplicación de un campo eléctrico exterior, pudimos distinguir por primera vez la emisión exitonica asociada al gas electrónico en heterouniones no dopadas intercionalmente. Como complemento, se estudia por último la influencia de la tensión residual sobre la concentración laminar del 2DE6 mediante los corrimentos de los fonones E2, así como los respectivos al excitón eolazapo aci donor.